Еще
Существующие каналы утечки информации на данный момент существуют следующие:
ВТСС, кроме указанных элементов, могут содержать акустоэлектрические преобразователи. К ним относятся некоторые типы датчиков охранной и пожарной сигнализации, громкоговорители ретрансляционной сети и т.д. Сам эффект акустоэлектрического преобразования называют МИКРОФОННЫМ ЭФФЕКТОМ.
Каналы утечки информации
Акустоэлектричесский - утечка информации происходит за счет преобразований акустических сигналов в электричесские.
- Некоторые элементы ВТСС (вспомогательных технических средств) в том числе трансформаторы, катушки индуктивности и т.д. обладают признаком изменять свои параметры (к ним относится емкость, индуктивность, сопротивление) под действием акустического поля создаваемого источником речевого сигнала. Ниже будут рассмотрены только самые сложные в понимании каналы утечки т.к. в интеренет оччень много информации по всем остальным.
Механизм и условия возникновения ЭДС индукции в катушке индуктивности сводится к следующему: под воздействием акустического давления появляется вибрация корпуса и обмотки катушки. Вибрация вызывает колебания проводов обмотки в магнитном поле, что и приводит к появлению ЭДС индукции на концах катушки индуктивности.
Акустоэлектричесский канал утечки - образуется при облучении лазерным лучом вибрирующих под действием акустического речевого сигнала отражающих поверхностей помещений (оконных стекол и зеркал, которые могут находится на объекте/помещении). Отраженное лазерное излучение модулируется по амплитуде и фазе, затем приломляется приемником оптического излучения, при демодуляции которого выделяется речевая информация.
Для перехвата речевой информации по данному каналу используются сложные лазерные системы, которые называются "ЛАЗЕРНЫМИ МИКРОФОНАМИ". Работают они как правило в ближнем инфракрасном диапазоне волн.
В результаате воздействия акустического поля меняется давление на все элементы ВЧ (высоко частотных) генераторов ТСПИ (тех-х средств приема и передачи информации) и ВТСС (вспомогательных тех-х средств информации). При этом изменяется взаимное расположение элементов схем(не физически, а параметрически), дроселей, катушек индуктивности, что может привести к изменениям параметров ВЧ сигнала, например, к модуляции его информационным сигналом. Поэтому этот канал называют ПАРАМЕТРИЧЕСКИМ каналом утечки.
Параметричесский электромагнитный канал - может возникать в процессе облучения ТСПИ побочными электромагнитными излучениями ВТСС, в следствии чего может возникать переизлучение электромагнитного излучения, которое будет содержать информацию, обрабатываемую в ТСПИ.
Information Technology
Information Technology